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    • 半导体少长针消雷装置
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      半导体少长针消雷装置

      半导体少长针消雷装置由多支半导体针体 和基座组成。每支半导体针由金属球头、钢针(四根金属分叉尖针)构成的接闪器和半导体电阻构成的限流部组成......

      技术标准

      1.GB/T 16438-1996《半导体少长针消雷装置使用的安全要求》

      2.T/CMSA 0010-2019《配电线路用多间隙避雷装置》

      3.T/CMSA 0011-2019《限流接闪装置》

      适用范围 

      1.适用 10kV 输电线路;

      2.高土壤电阻率地区;

      3.室外耐温:-40℃~56℃。

      技术参数 

      1.必须由高耐压、电阻型限流针、多针组成一套产品;  

      2.针长不小于 2.5m;

      3.抗风强度≥45m/s;

      4.限制上行雷的发展,可以将上行雷的先导电流限制在 100A 以下,从而使上行先导不可能持续向上发展;

      5.在发生下行的对地雷击(下行雷)时,能有效地消减雷电主放电电流;

      6.保护范围大,安装高度 h 与其保护半径 r 之比为 1:5,保护角约为80 度;其地面保护范围为同高避雷针的 11 倍。

      产品组成及规格

      1.半导体少长针消雷装置由多支半导体针体和基座组成。每支半导体针由金属球头、钢针(四根

      金属分叉尖针)构成的接闪器和半导体电阻构成的限流部组成。

      2.半导体少长针消雷装置规格型号为 BIU-SLE-V-5-2.5/BC。

      产品主要结构 

      产品主要功能

      1.能限制由地面向上发展的雷电

      雷电分为上行雷与下行雷两种。实际勘察表明,高大建筑物上行雷的比例很高。上行雷的形成需有 100A 以上的上行先导电流,而半导体针电阻将上行先导电流抑制到几十安培以下,从而使上行雷难以形成。半导体电阻足以将上行先导电流抑制到百安培以下,从而控制了上行雷先导的发展,抑制了上行雷的形成,限制上行雷的发展。

      2.对雷击次数具有消减作用

      对雷击次数的消减作用在于电晕电流的中和及空间电荷的屏蔽效应。产品本身结构和设计应充分利用了雷云电场的本身动力,从而产生强烈的中和电流,利用这些电晕电流相应的电荷只要中和雷云电荷中的一部分,使雷云电场场强消减到放电极限以下,即能有效防止雷击发生。这些电晕电流相应的空间电荷布满在保护物的上空,还可以减弱被保护物上部的电场强度,使迎面先导难以发生,从而减少了下行雷的雷击次数。

      3.对下行雷主放电电流的抑制

      受雷击时,消雷装置的针体能起到限流作用,可使其在受雷时,在其电离通道(主放电通道)中串联以非线性电阻,从而使雷击主放电受到限制,使主放电时间从微秒级延长至毫秒级,有效地减小了主放电电流的幅值和陡度,甚至使雷击主放电过程不会出现。半导体少长针消雷器可以减弱直击雷及其二次效应。具有限流能力,在遭受雷击时可以大幅地减削雷电流的幅值和陡度,从而使雷击的二次效应大大减弱,实现对雷击的二次效应的防护。

      4.保护范围大

      半导体少长针保护半径一般可取建筑物高度的 5 倍,或取保护角按 80°计算,其地面保护范围是等高避雷针保护范围的 11 倍。对于地质条件较恶劣,接地要求又较高的条件下,采用半导体少长针消雷器可使接地电阻放宽到 30Ω以达到接地要求。

      (此内容由www.cbiu.net提供)
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